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最新消息 > 明后兩年全球晶圓產能將極速增漲,主要增長點來自于存儲芯片

文章来源:由「百度新聞」平台非商業用途取用"http://www.cnbeta.com/articles/soft/925301.htm"

我們處在一個信息爆炸的時代,而信息的產生與傳播離不開基本的硬件載體,根據市場調研機構ICInsights最新研究報告指出,2020年全球將有10座新的12寸晶圓廠進入量產階段,全球晶圓產能將新增1790萬片8寸約當晶圓,2021年新增產能將創歷史新高達2080萬片8寸約當晶圓。新增產能主要來自于韓國大廠三星及SK海力士,以及長江儲存、武漢新芯、華虹宏力等我國大陸半導體廠。報告指出,自2000年以來,半導體產業是靠著增加晶圓投片量來提高晶片出貨量,而利用制程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片的貢獻并不多。事實上,自2000~2019年這20年當中,每片晶圓切割出的良品晶片的每年平均成長率僅0.9%,但透過增加晶圓投片來增加的晶片每年平均成長率達6.5%。總體來看,2000~2019年全球每年新增加的晶片數量,有86%來自晶圓投片量增加,只有14%是來自制程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片。半導體市場在2017~2018年間出現過存儲芯片及部份邏輯芯片缺貨的情況,DRAM及NANDFlash價格大漲,存儲芯片廠因此大舉擴充產能以回應市場的強勁需求,晶圓代工廠及IDM廠也有擴建增加產能的計劃。不過,國際經濟情勢不確定性導致半導體市場需求降溫,2019年存儲芯片價格一路走跌,存儲芯片廠也暫緩了產能擴充計劃,晶圓代工廠及IDM廠的產能利用率也同步下修。ICInsights統計,全球晶圓廠平均產能利用率在2018年達94%,但2019年降至86%。但是對于半導體廠來說,產能擴充計劃沒有取消只是延后,其中擴產規模最大的還是來自于存儲芯片廠。由于近期DRAM及NANDFlash市況回溫,存儲芯片廠重啟產能擴充計劃,2020年及2021年全球新增晶圓產能將大幅增加,等于進入高速擴張期。據業界消息,以三星為例,為積極擴增3DNAND產能,其位于西安的第二期晶圓廠已完工,預計2020年第一季開始量產,三星位于韓國平澤廠旁的P2廠也已興建完成,預期2020年下半年進入量產。訪問:京東商城

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